专利

逾越25年革新发展 我们的专利就是证明

年复一年，我们的专利清单越列越长，不断拓宽和加深着我们的知识产权。每项专利都是我们的创新实力的证明，进一步验证了我们技术领先的行业地位。

以下是ANADIGICS所拥有专利的简短说明。

您可以由以下的地址获得详细专利内容:
US Patent and Trademark Office

专利号 7459974: System and method for distortion cancellation in amplifiers
专利号 7443236: CDMA power amplifier design for low and high power modes
专利号 7400873: Method and system for image rejection by using post mixer I/Q equalization
专利号 7385447: Power amplifier having curve-fitting predistorter
专利号 7348852: Device and method for power amplifier noise reduction
专利号 7301396: System and method for distortion cancellation in amplifiers
专利号 7292104: Variable gain amplifier
专利号 7248111: Multi-mode digital bias control for enhancing power amplifier efficiency
专利号 7202736: CDMA power amplifier design for low and high power modes
专利号 7173406: Method and apparatus for gain control
专利号 7102444: Method and apparatus for compensating and improving efficiency in a variable power amplifier
专利号 7071514: Electrostatic discharge protection device
专利号 7019508: Temperature compensated bias network
专利号 7015519: Structures and methods for fabricating vertically integrated HBT/FET device
专利号 7009454: Method and apparatus for optimization of amplifier with adjustable output range
专利号 6998920: Monolithically Fabricated HBT Amplification Stage with Current Limiting FET
专利号 6970039: Efficiency enhancement for MMIC amplifiers
专利号 6937102: Low bias current/temperature compensation current mirror for linear power amplifier
专利号 6882227: Bias Circuit Linearization and Dynamic Power Control
专利号 6856004: Compact layout for a semiconductor device
专利号 6853526: Transient Overvoltage Protection Circuit
专利号 6842075: Gain Block with Stable Internal Bias from Low-voltage Power Supply
专利号 6806767: Power Amplifier with Load Switching Circuit
专利号 6803824: Dynamic Matching in Cascode Circuits
专利号 6760900: Integrated circuits with scalable design
专利号 6759922: High directivity multi-band coupled-line coupler for RF power amplifier
专利号. 6753734: Multi-mode amplifier bias circuit
专利号 6724067: Low stress thermal and electrical interconnects for heterojunction bipolar transistors
专利号 6719518: Portable tube holder apparatus
专利号 6710657: Gain control circuit with well-defined gain states
专利号 6664500: Laser-trimmable digital resistor
专利号 6645790: System and Method for Prototyping and Fabricating Complex Microwave Circuits
专利号 6642578: Improved Linearity Radio Frequency Switch with Low Control Voltage
专利号 6639466: Amplifier bias adjustment circuit to maintain high-output third-order intermodulation distortion performance
专利号 6580321: Active clamping circuit for power amplifier
专利号 6577198: Active power splitter with impedance matching
专利号 6559722: Low bias current/temperature compensation current mirror for linear power amplifier
专利号 6554949: Wafer demount receptable for separation of thinned wafer from mounting carrier
专利号 6515546: Bias circuit for use with low-voltage power supply
专利号 6501331: Multi-band amplifier
专利号 6491083: Wafer demount receptacle for separation of thinned wafer from mounting carrier
专利号 6470946: Wafer demount gas distribution tool
专利号 6458640: GaAs MESFET having LDD and non-uniform P-well doping profiles
专利号 6437585: Electrical contactor for automatic testing of chips including RF chips
专利号 6415843: Spatula for separation of thinned wafer from mounting carrier
专利号 6404284: Amplifier bias adjustment circuit to maintain high-output third-order intermodulation distortion performance
专利号 6314008: Adjustable low spurious signal DC-DC converter
专利号 6242986: Multiple-band amplifier
专利号 6005375: Amplifier using a single polarity power supply
专利号 5952860: Amplifier using a single polarity power supply
专利号 5892400: Amplifier using a single polarity power supply
专利号 5774017: Multiple-band amplifier
专利号 5748049: Multi-frequency local oscillators
专利号 5736913: Method and apparatus for providing grounding to microwave circuit by low impedance means
专利号 5659894: Dual-channel low current low noise block downconverter
专利号 5646573: Automatic gain-control transimpedance amplifier
专利号 5625307: Low cost monolithic gallium arsenide upconverter chip
专利号 5602510: Automatic transimpedance control amplifier variable impedance feedback
专利号 5563545: Low cost monolithic GaAs upconverter chip
专利号 5557144: Plastic packages for microwave frequency applications
专利号 5493718: Dual-channel low current low noise block downconverter
专利号 5442321: Automatic transimpedance control amplifier
专利号 5428837: Method and apparatus for reducing local oscillator leakage in IC receivers
专利号 5138285: Method for reducing phase noise in oscillators
专利号 5047728: Amplifier having a low noise active GaAs MESFET load
专利号 4743862: JFET current mirror and voltage level shifting apparatus
专利号 4739282: Current bleeder amplifier with positive feedback

专利号 7459974: System and method for distortion cancellation in amplifiers
发行日期: 2008年12月2日
存档日期: 2007年11月27日
申请编号: 11/945,800
摘要:
失真清除放大器包含了一个主放大器及一个误差放大器。主放大器主要用来回应输入信号，接着产生由放大信号元件和失真信号所组成的输出信号。误差放大器以估量及偏置产生，以便针对相同的输入信号做出反应。此失真信号组件，有着和主放大器失真信号组件相同的可观规模。此失真信号组件来自於误差放大器，是由主要放大器的输出信号减去而产生。

专利号 7443236: CDMA power amplifier design for low and high power modes
发行日期: 2008年10月28日
存档日期: 2007年4月6日
申请编号: 11/784,541
摘要:
一种会根据功率模式讯号做响应的放大器电路，可有效改善低功率等级时的效率，而且也不会因此犠牲高功率等级时的效率。在低功率时会提供高阻抗以及适当调整讯号之相位，预失真线性技术则可改善高功率时的效率；在低功率等级时将预失真电路关闭也只会小幅增加差损。功率放大器也使用了内含双谐波共振过滤器的偏压电路，可在基频提供高阻抗，次谐波提供低阻抗。这些特性尤具优势，因为虽然手机在最高功率等级使用时效率最高，但手机放大器大部份都是在低功率模式下使用。

专利号 7400873:Method and system for image rejection by using post mixer I/Q equalization
发行日期: 2008年 7月15日
存档日期: 2005年10月20日
申请编号: 11/254,386
摘要:
此发明提供了使用後混音I/Q均衡器来调整宽频信号的系统和方法。影像抑制混频器（IRM）用於混合射频（RF）信号，并阻断来自射频信号的图像信号。此IRM包含了一个I/Q混频器和一个过滤器。 I和Q路径的产生来自於I/Q混合器中，被I/Q均衡器平衡过之增幅和相位的混合运算。自此之後，使用了过滤器的理想射频信号便可阻断图像信号。

专利号 7385447:Power amplifier having curve-fitting predistorter
发行日期: 2008年 6月10日
存档日期: 2004年 6月28日
申请编号: 10/879,940
摘要:
功率放大器有个多元化的放大器阶段。一个或多个预失真器被个別安置於功率放大器路径内的各放大器阶段。预失真器在预失真曲线和分裂预失真曲线进入多元化的细分市场时设置断点。每个预失真器会进行调整，以适应斜率的每一部份变化。这种调整形成了分段曲线拟合的概略逆放大器传输特性。该拟合曲线，可任意凭藉足够数量断点的选择，以接近放大器的调转特性，并因此有足够数量的预失真曲线段，引领至功率放大器令人满意的线性化。

专利号 7348852: Device and method for power amplifier noise reduction
发行日期: 2008年 3月25日
存档日期: 2004年11月 8日
申请编号: 10/984,316
摘要:
此功率放大器用於无线通信设备，可降低无线通信设备接收频段输出放大器所产生的噪声。以谐振电路植入基地镇流器电阻与集总电阻，来调整谐振电路的共振频率，以符合通信设备接收频段与频偏传输频率之间所对应的峰值噪声。

专利号 7301396: System and method for distortion cancellation in amplifiers
发行日期: 2007年11月27日
存档日期: 2004年12月16日
申请编号: 11/015,863
摘要:
消除失真放大器拥有一个主放大器和一个误差放大器。主要放大器，主要是响应一个输入信号，产生一个放大信号和信号失真组成组件的输出信号。误差放大器是依信号大小和误差产生,以响应相同的输入信号, 此输入信号有与主放大器大致相同的失真信号组件。失真的信号组件，是由误差放大器减去主放大器的输出信号。

专利号 7292104: Variable gain amplifier
发行日期: 2007年11月6日
存档日期: 2005年2月11日
申请编号: 11/057,304
摘要:
可变增益放大器由变量发射极电阻控制信号。可变电阻器包括一个连接集合器和发射器之间的控制晶体管。不同的增益放大器，适用不同的控制晶体管以控制信号，增益控制晶体管可用来控制晶体管的饱和。

专利号 7248111: Multi-mode digital bias control for enhancing power amplifier efficiency 
发行日期: 2007年7月24日
存档日期: 2005年4月14日
申请编号: 11/106,254
摘要:
提供具有多重模式的数字偏移控制电路的功率放大器。此功率放大器采用相补相成的电压产生电路和偏移电流控制电路，以产生不同程度输出功率的偏移电流。以目前发明的具体成效来看,功率放大器电路可连接到一个参考电压和两个控制信号。取决于对输出功率程度的需求，控制信号在放大晶体管中设置相对应的偏移电流，以确保有足够的线性关系。功率放大器能够在非常低静态电流的程度之下运作，例如5mA。结果为可显著地改善功率放大器的整体效能，增加无线通信设备电池的通话时间。此发明可应用在无线通信设备，例如CDMA、WCDMA、EDGE和WLAN等行动通讯设备的应用上。

专利号 7202736: CDMA power amplifier design for low and high power modes
发行日期: 2007年4月10日
存档日期: 2004年3月23日
申请编号: 10/807,764
摘要:
在低功耗水准下，放大器电路回应功率模式信号，在高功率的水平下，不损害效率且提高功率。在低功耗水平下，以适当的调整信号展现高阻抗。此外，为预失真线性化提高效率，并且在高功率低功耗层次下，提供比极小的插入损耗高一点的预失真线性化。功率放大器还采用植入双谐波共振滤波器的偏置电路，来提供在基本频率和低阻抗的二次谐波下的高阻抗。这些属性特别有效，因为手机中的放大器使用的低功耗模式，主要目是在最高功率水平下提供最佳效能。

专利号 7173406: Method and apparatus for gain control
发行日期: 2007年2月6日
存档日期: 2004年8月26日
申请编号: 10/927,363
摘要:
功率放大器增益控制，提供显示综合电路的方法及装置。提供低成本的连续变异增益控制，作为对照两国或多国先前开发解决方案的能力，可提供显示一致性的改善方式，和控制增益使用的特点。

专利号 7102444: Method and apparatus for compensating and improving efficiency in a variable power amplifier
发行日期: 2006年9月5日
存档日期: 2004年9月24日
申请编号: 10/949,087
摘要:
将放大器化身为整合电路的方式或装置，如: 无线电频率放大器转化为整合电路. 转化物可提供以优良的功效在多功率水平中运行。共振组件在大范围的功率使用程度之下，提供一致的运行参数。补偿阻抗在高功率模式下，开关转入或转出电路，以改善没有补偿作用的附属开关。改善过的补偿作用和线性可提供使用中的特征。此项发明也可应用于微波或其它RF相关领域。

专利号 7071514: Electrostatic discharge protection device
发行日期: 2006年7月4日
存档日期: 2004年12月2日
申请编号: 002302
摘要:
压缩ESD保护装置，是利用逆转分解电压的基极-射极接合点，作为触发二极管开关晶体管，将偏流的ESD电流传导至地面。触发二极管系列与泄漏二极管提供了一个分流反向路径，将偏压的ESD电流分流至地面。泄漏二极管配对触发二极管，将任何渗漏的电流从触发二极管分流至地面。

专利号 7019508: Temperature compensated bias network
发行日期: 2006年3月28日
存档日期: 2004年6月24日
申请编号: 875819
摘要:
将温度补偿偏移网络化身为显示综合电路的方式或装置，提供可符合理想与稳定性佳的温度特性。流通反射镜组件与活性渗漏电路可能在广泛的温度范围下运行，提供一致性的操作参数。改善补偿作用和线性可提供使用的特征。

专利号 7015519: Structures and methods for fabricating vertically integrated HBT/FET device
发行日期: 2006年3月21日
存档日期: 2004年2月20日
申请编号: 783830
摘要:
披露使HBT/FET整合为一套的制造方法和系统。首选的转化包含整合以砷化镓为基础的HBT和FET的制程方法。该方法包含的步骤为：增加第一套晶膜层，支持在半絶缘砷化镓支持下的FET；制造高厚砷化镓层做为FET的最上层, 及属于HBT的替代集极层；并产生第二套晶膜层HBT来制造HBT。

专利号 7009454: Method and apparatus for optimization of amplifier with adjustable output range
发行日期: 2006年3月7日
存档日期: 2004年1月20日
申请编号: 760698
摘要:
发表适用于放大器，例如以集成电路方式实作之射频放大器的方法与仪器。此实作提供了广泛的作业功率，且在多个功率等级具备优异的能源效率。谐振组件可在广泛功率等级中提供一致的作业参数。此项发明可在微波频带或其它射频中作业。

专利号 6998920: Monolithically Fabricated HBT Amplification Stage with Current Limiting FET
发行日期: 2006年2月14日
存档日期: 2004年2月20日
申请编号: 783825
摘要:
发表包含了至少一种异质接面双载子晶体管和场效晶体管的单片积体放大器。场效晶体管在严重负载不均和高过载时会限制输入到HBT的基极电流和/或集极电流，因此可提升耐用度。

专利号 6970039: Efficiency enhancement for MMIC amplifiers
发行日期: 2005年11月29日
存档日期: 2003年10月23日
申请编号: 692232
摘要:
本发明系针对组态成运用Doherty放大器之效率强化技术的单芯片集成电路功率放大器。单芯片积体功率放大器可使用本专利独家设计的偏压电路来实作。此外，运用了合并HBT/FET制程和集总四分之一波长变压器后，很适合将Doherty放大器实作于本专利所提到的单芯片技术。

专利号 6937102: Low bias current/temperature compensation current mirror for linear power amplifier
发行日期: 2005年8月30日
存档日期: 2002年7月29日
申请编号: 208636
摘要:
本专利是藉由在低驱动信号范围运作时减少静态电流，让功率放大器电路之作业贴近在Class B模式运作以获致最佳效能。当驱动讯号振幅增加，放大器会可动态调整为在Class AB模式运作，也就增加电路了在KIW驱动等级的功率效率。其它针对功率放大电路之改善技术还包括了温度补偿电路，调整放大器之偏压，让它在广大的温度范围内皆有稳定效能。

专利号 6882227: Bias Circuit Linearization and Dynamic Power Control
发行日期: 2005年4月19日
存档日期: 2003年9月15日
申请编号: 662849
摘要:
本专利是一个能够将具备控制终端，电流集终端和电流源终端和的晶体管放大器进行偏压的晶体管偏压电路，让其在对应的射频与微波频带控制互调变与线性化输出。此外，本电路实作亦可进行动态功率控制。本发明的晶体管偏压电路使用了漏电流来改变晶体管放大器之电子特性。偏压电路包含了具备控制终端，电流集和电流源终端的偏压晶体管。另外也提供了至少一个DC输入埠，一个共振组件，二极管组件及阻抗组件。

专利号 6856004: Compact layout for a semiconductor device
发行日期: 2005年2月15日
存档日期: 2002年12月19日
申请编号: 327512
摘要:
本半导体设备包括了半导体基板，一个位于基板上表层之电级，以及一或多位于基板上表层的晶体管组件。晶体管组件以临界距离紧密围绕电级。某一实作中，半导体组紧密地围绕导电孔，在另一实作中，组件建构成双极接面晶体管，其整体发射器长度小于10微米。而在另一个实作中，设备与RF电路藕合进行功率放大。

专利号 6853526: Transient Overvoltage Protection Circuit
发行日期: 2005年2月8日
存档日期: 2000年9月22日
申请编号: 668181
摘要:
本发明为防止集成电路瞬态过电压的电路与方法，电路包含平衡-不平衡变压器和正常关晶体管。Balun输入终端连上不平衡电路，输出终端则是连上平衡电路。晶体管连结于balun输出终端之间，其闸门接地或接其它参考电压。当过电压瞬态讯号到达balun输入终端时，balun变压器会在平衡电路的两个分支将瞬态转成平衡瞬态信号。在过电压时，balun输出终端会让电压摆荡的够低，保护晶体管因而启动，有效地把过电压突波短路，保护任何上游或下游IC零件不致损坏。当瞬态电压结束，晶体管又会回复到”关闭”状态。

专利号 6842075: Gain Block with Stable Internal Bias from Low-voltage Power Supply
发行日期: 2005年1月11日
存档日期: 2002年12月13日
申请编号: 319921
摘要:
本专利提供晶体管偏压电路，可在欲进行偏压的晶体管之基频发射器电压二倍多一点的电源电压运作。此偏压电路包括了一个晶体管，以镜射电流组态方式连上它欲偏压的晶体管。馈送电路会以恒常值维持镜射电流。馈送电路之增益系透过在馈送电路中增加非反相放大器来达成。在较佳实作中，偏压晶体管会同时存在于Darlington和镜射电流组态中。而且，馈送电路中的馈送晶体管也会同时存在于Darlington组态中，因此提供了Darlington放大器组件有效的偏压布置方式。

专利号 6806767: Power Amplifier with Load Switching Circuit
发行日期: 2004年10月19日
存档日期: 2002年7月9日
申请编号: 190567
摘要:
功率放大器电路包括了会依功耗模式讯号响应的功率放大器、含功率放大器输出节点的功率放大器、一个可响应功耗模式讯号的功率放大器负载电路、负载电路输入节点连上功率放大器输出节点的功率放大器输出电路。此功率放大器负载电路之第一输电线路在负载电路输入节点与第一节点间藕合，谐波滤波器在负载电路输入节点和公共节点间藕合，第一电容器在第一节点与公共节点间藕合，第一切换器在公共节点与接地间藕合，而第一切换器响应功率模式讯号。

专利号 6803824: Dynamic Matching in Cascode Circuits
发行日期: 2004年10月12日
存档日期: 2001年12月18日
申请编号: 024943
摘要:
发表一种用于可变增益串迭放大器(或称衰减器) 的方法及装置。此实作提供了补偿性输入阻抗。增益/阻抗控制器会因应增益调整补偿输入阻抗。

专利号 6760900: Integrated circuits with scalable design
发行日期: 2004年7月6日
存档日期: 2001年12月3日
申请编号: 004976
摘要:
在制造集成电路时，设计至少一个光罩的方法。此法包括产生示意图、把代表数据的晶体管输入到计算机辅助的设计系统、找出会因电力轨和地轨电压超过界限而影响的晶体管、指定晶体管的耐用几何和操作计算机辅助的设计系统来产生光罩。可扩充的集成电路亦有介绍。

专利号 6759922: High directivity multi-band coupled-line coupler for RF power amplifier
发行日期: 2004年7月6日
存档日期: 2002年5月20日
申请编号: 147987
摘要:
本发明为适合射频功率放大器模块应用的微型高方向性多波段耦合线耦合器。本耦合器采用三耦合线结构: 第一RF线指定了GSM的 900 MHz频段的耦合线路，第二RF线指定了DCS/PCS 1800/1900MHZ频带的耦合线路，以及共享耦合线路。第一电容器连接于第一线中间和共同路线中间，第二电容器连接于第二线中间和共同路线中间。耦合器长度比四分之一波长耦合器短上许多，但还是可做到符合GSM频段与DCS / PCS频段之方向性要求。

专利号 6753734: Multi-mode amplifier bias circuit
发行日期: 2004年6月22日
存档日期: 2003年2月4日
申请编号 358371
摘要:
发表了能够在温度和供电电压出现大变化时仍展现卓越稳定性的偏压电路技术，并能够产生多个输出电流值的给偏压RF功率放大器。依据本发明，偏压电路包括了(1)以镜射电流组态方式连结从晶体管的主晶体管，并具备两个平行连接的晶体管组件，(2)连接到至少一个晶体管组件的开关，以便控制其运作，以及(3)反馈电路，其中主晶体管的集电极电压可反馈来控制主晶体管和从晶体管之基极电压。另外，在回路中，偏压电路可晶体管之基极-发射极两倍多的供电电压下作业。

专利号 6724067: Low stress thermal and electrical interconnects for heterojunction bipolar transistors
发行日期: 2004年4月20日
存档日期: 2002年10月7日
申请编号: 265548
摘要:
本发明为异质接面晶体管之热和电互连。其中，互连中含金成份，存在于每个电气交错指影的热和电接点中，能够在0.25-1.5 mw/.mu.m2范围内传送热流。此互连经过电解沈积后与发射极指)形成低应力界面，从而提高晶体管寿命和可靠性。

专利号 6719518: Portable tube holder apparatus
发行日期: 2004年4月13日
存档日期: 2001年10月15日
申请编号: 977740
摘要:
发表了一种可携式管载具及管载方法，可以安全且快速的将装有电子组件之载管引入机器内。此载管之导管尺寸可收纳多管，并具备可支撑导管的支架。载管可在工作站地区同时装载多管，然后安全地运送管到机器，不会发生组件掉出管的风险。支架最好是可滑式，可将导管中所有的管可立即传送到机器的馈送系统，达到快速装载目的，让装载期间必须停机的时间最小化。可携式管载具最好具备一个设计来便于将装载导管与机器之馈送系统导管对齐的接口。

专利号 6710657: Gain control circuit with well-defined gain states
发行日期: 2004年3月23日
存档日期: 2001年10月12日
申请编号: 975849
摘要:
电流导引增益控制电路提供非零最小增益值，迅速重制控制讯号，而不需要精密控制-讯号-产生电路。增益控制电路是根据传统电流驱动型晶体管之差动对改良，分别对第一和第二控制讯号进行偏压。为提供定义完整的非零最小增益值，此增益控制电路包括至少一个电流驱动型晶体管，会在最小增益状态下作业时将电流进一步导引至输出。由于增加了一或多对电流驱动晶体管，增益控制电路提供了在电路最大和最小增益值之间多种定义完整的状态。最小和中间增益值可藉由区别电流导引晶体管(可为BJT或FET)的物理特性来选择。电路可在单端或差动组态下实作。

专利号 6664500: Laser-trimmable digital resistor
发行日期: 2003年12月16日
存档日期: 2000年12月16日
申请编号: 737699
摘要:
发表了可干净修裁或分离无掺杂的砷化镓基板产生的阻抗链路，但不会伤或影响其相邻的电路结构或其下层或周围基板的雷射系统与方法。此系统包括了可在0.9至1.5 .mu.m波长范围内输出的雷射源、在无掺杂的砷化镓基板上形成的阻抗膜结构、以及可将雷射光源和目标体对齐的光束定位器与对焦系统。方法是在大约0.9至1.5 .mu.m波长范围内产生雷射输出，并将雷射输出导到照亮砷化镓基板上的阻抗薄膜结构。阻抗薄膜结构包括了第一层的保护性介电和一层阻抗薄膜质，而在阻抗薄膜质上最好有第二层保护性介质。另外，本专利也发表了阻抗性修裁网，可适用于需要130mA静态电流的功率放大器之偏压电路。修裁网包括了11个薄膜电阻，以非对称数组的串联电阻，并联电阻和切入电阻方式排列。

专利号 6645790: System and Method for Prototyping and Fabricating Complex Microwave Circuits
发行日期: 2003年11月11日
存档日期: 2001年12月21日
申请编号: 032321
摘要:
本项发明适合用在建立RF整合微波电路系统和方法时，可支持多项应用，让多个RD功能可在RF积体微波电路制造后从一个通用集成电路获得。更具体而言，本发明可形成MMIC数组和基板所需的主动和被动基础配件，可在集成电路制造后以多种方法耦合起来，形成多种应用。做法上是制造具备了多个种主动配件的芯片，主动配件可支持多种不同运用，并以不同方式在制造后耦合，调整或调校。

专利号 6642578: Improved Linearity Radio Frequency Switch with Low Control Voltage
发行日期: 2003年11月4日
存档日期: 2002年7月22日
申请编号: 201494
摘要:
本发明为一种可用在无线电频率交换应用，并具备线形效能特征的场效晶体管。晶体管包括了多种闸极线，源极，汲极，以及两个在线路路径上的多个点和源极，汲极与闸极进行电耦合的前馈电容。改良的晶体管最好包括三或多闸极线，会对谐波抑制有所帮助。

专利号 6639466: Amplifier bias adjustment circuit to maintain high-output third-order intermodulation distortion performance
发行日期: 2003年10月28日
存档日期: 2002年6月11日
申请编号: 167604
摘要:
在三阶互调失真产品中放大RF输入讯号，产生RF输出讯号的电路和方法。此电路和方法使用馈送讯号来控制放大器的偏压，输出三阶互调失真产品会和RF输入讯号功率单调递增。具体而言，输入功率每增加一分贝，三阶互调失真产品会根据预先决定的输出功率范围响应增加三分贝。

专利号 6580321: Active clamping circuit for power amplifier
发行日期: 2003年6月17日
存档日期: 2001年8月24日
申请编号: 939183
摘要:
多阶功率放大器用的主动箝位电路包括了会影响放大器增益的馈送电路。馈送电路之输出会经由滤波器和箝位晶体管而馈送给功率放大器至少一阶的输入端。馈送到过滤波器和箝位晶体管的输出可以是连上功率放大器输出端的二极管堆栈中的一或多二极管。

专利号 6577198: Active power splitter with impedance matching
发行日期: 2003年6月10日
存档日期: 2002年3月21日
申请编号: 101775
摘要:
具有内部馈送电路的单输入/多输出功率分岐器。另一个分离的放大电路，如晶体管，会被用来驱动每个输出。晶体管可用共同来源/发射极放大组态方式排列，组态中的闸极/基极连在一起形成输入节点。每个晶体管都有相关的馈送电路，包括被动电路组件，如电阻。被动电路组件会连结在晶体管汲极/集极和共同中介连结节点之间，而所有馈送电阻也连结在此。共同中介节点会透过分离的输入电阻连上单一输出。

专利号 6559722: Low bias current/temperature compensation current mirror for linear power amplifier
发行日期: 2003年5月6日
存档日期: 2000年8月8日
申请编号: 634628
摘要:
本专利是藉由在低驱动信号范围运作时减少静态电流，让功率放大器电路之作业贴近在Class B模式运作以获致最佳功耗效率。当驱动讯号振幅增加，放大器会可动态偏压，在Class AB模式运作。其它针对功率放大电路之改善技术还包括了温度补偿电路，调整放大器之偏压，让它在广大的温度范围内皆有稳定效能。

专利号 6554949: Wafer demount receptable for separation of thinned wafer from mounting carrier
发行日期: 2003年4月29日
存档日期: 2002年9月17日
申请编号: 244548
摘要:
晶圆缷载接收机台主要是包括了圆板部件和圆板部件外围的直立边缘结构。边缘结构为阶层式，包括了定义第一直径的第一阶，以及定义第二直径的第二阶(大于第一直径)。第一阶的riser高度很低，而载运机台周围相邻表面会靠在第一阶路径上，因此圆板部件和密合在载具机台的脆弱半导体晶圆之间距，可以让晶圆在从载运机台部份缷载时，限制其边缘部份只向圆板部件弯曲。圆板部件还具有洞状形态，可在溶剂上产生涡电流，流向晶圆，载具机台和接收机台，在晶圆和载具机台间软化与溶解表面黏着剂，以使晶圆从载具机台分离。晶圆缷载接收机器可用来和晶圆缷载工具搭配使用，晶圆缷载工具包括了一个由背板和触板间形成的chamber。Chamber含进气口，可导入加压气体，触片则包含多个穿孔。晶圆缷载工具和晶圆缷载接收机器搭配，触板和晶圆缷载接收器上的载具机台之背面并列。流过晶圆缷载工具的加压气体会将溶剂由晶圆载具接口分离，进一步促使晶圆从载具分开。

专利号 6515546: Bias circuit for use with low-voltage power supply
发行日期: 2003年2月4日
存档日期: 2001年6月6日
申请编号: 875117
摘要:
提供晶体管偏压电路，能够从供电电压运作，其电压比欲偏压的晶体管发射极基极电压两倍稍微高一点。此偏压电路包括了一个晶体管，以镜射电流组态方式连上它欲偏压的晶体管。馈送电路会以恒常值维持镜射电流。馈送电路之增益系透过在馈送电路中增加非反相放大器来达成。

专利号 6501331: Multi-band amplifier
发行日期: 2002年12月31日
存档日期: 2001年3月29日
申请编号: 821177
摘要:
本发明专利为无线通讯用GaAs MMIC双频放大器，可在800MHz或1900MHz频带作业，提供理想的增益和输入输出阻抗。开关阻抗网络被用在放大器输入输出，在两个频带作业中提供相称的输入阻抗和理想输出阻抗，亦可用在放大器任何接续级，提供适当的级间阻抗。双频放大器包括了偏压控制电路，会将放大器偏压在A，B，AB或C模式中运作。另外，只要在放大器上加进适当的控制信号，也可在AMPS 800或GSM 900，或是任何其它大哥大网络运作，例如PCS 1900，并在两种运作模式间切换。

专利号 6491083: Wafer demount receptacle for separation of thinned wafer from mounting carrier
发行日期: 2002年12月10日
存档日期: 2001年2月6日
申请编号: 776758
摘要:
晶圆缷载接收机台主要是包括了圆板部件和圆板部件外围的直立边缘结构。边缘结构为阶层式，包括了定义第一直径的第一阶，以及定义第二直径的第二阶(大于第一直径)。第一阶的riser高度很低，而载运机台周围相邻表面会靠在第一阶路径上，因此圆板部件和密合在载具机台的脆弱半导体晶圆之间距，可以让晶圆在从载运机台部份缷载时，限制其边缘部份只向圆板部件弯曲。圆板部件还具有洞状形态，可在溶剂上产生涡电流，流向晶圆，载具机台和接收机台，在晶圆和载具机台间软化与溶解表面黏着剂，以使晶圆从载具机台分离。晶圆缷载接收机器可用来和晶圆缷载工具搭配使用，晶圆缷载工具包括了一个由背板和触板间形成的chamber。Chamber含进气口，可导入加压气体，触片则包含多个穿孔。晶圆缷载工具和晶圆缷载接收机器搭配，触板和晶圆缷载接收器上的载具机台之背面并列。流过晶圆缷载工具的加压气体会将溶剂由晶圆载具接口分离，进一步促使晶圆从载具分开。

专利号 6470946: Wafer demount gas distribution tool
发行日期: 2002年10月29日
存档日期: 2002年2月6日
申请编号: 776922
摘要:
晶圆缷载接收机台主要是包括了圆板部件和圆板部件外围的直立边缘结构。边缘结构为阶层式，包括了定义第一直径的第一阶，以及定义第二直径的第二阶(大于第一直径)。第一阶的riser高度很低，而载运机台周围相邻表面会靠在第一阶路径上，因此圆板部件和密合在载具机台的脆弱半导体晶圆之间距，可以让晶圆在从载运机台部份缷载时，限制其边缘部份只向圆板部件弯曲。圆板部件还具有洞状形态，可在溶剂上产生涡电流，流向晶圆，载具机台和接收机台，在晶圆和载具机台间软化与溶解表面黏着剂，以使晶圆从载具机台分离。晶圆缷载接收机器可用来和晶圆缷载工具搭配使用，晶圆缷载工具包括了一个由背板和触板间形成的chamber。Chamber含进气口，可导入加压气体，触片则包含多个穿孔。晶圆缷载工具和晶圆缷载接收机器搭配，触板和晶圆缷载接收器上的载具机台之背面并列。流过晶圆缷载工具的加压气体会将溶剂由晶圆载具接口分离，进一步促使晶圆从载具分开。

专利号 6458640: GaAs MESFET having LDD and non-uniform P-well doping profiles
发行日期: 2002年10月1日
存档日期: June 4, 2001年6月4日
申请编号: 871740
摘要:
MESFET的有一个传导渠道，提供了第一次掺杂配方给介于源极和闸极间的第一部份，第二掺杂配方则供介于闸极和集极的第二部分。背景P-type区域位于第一部分下方，但不一定在第二部分后面。

专利号 6437585: Electrical contactor for automatic testing of chips including RF chips
发行日期: 2002年8月20日
存档日期: 2000年10月27日
申请编号: 699179
摘要:
提供电接触器，在芯片和PCB板间建立电接点，以便测试由导电层和接地点基座组成的芯片。接地点基座最好是压接式，焊接到PCB的接地层，才能和芯片有良好的接地接触。此外，接触器最好是薄型，不会和芯片里敏感的电子组件产生电干扰。接触器表面制程也不要用塑料框，塑料框会降低对PCB的存取能力，，使得微调PCB内电子组件变的困难。接触点的导电层最好有两个孔可挂在定位销和PCB板，并且用两个O形环固定在定位销上。

专利号 6415843: Spatula for separation of thinned wafer from mounting carrier
发行日期: 2002年7月9日
存档日期: 2001年1月10日
申请编号: 756849
摘要:
晶圆移除铲上有一握柄连上托盘，握柄轴有一对支撑导引，托盘上则有晶圆支撑表面落在托盘支撑表面上。支撑导引和托盘支撑表面系经过组态与尺寸量测，以确保晶圆支撑表面和基板上表面平行。晶圆支撑表面的前缘有一个斜面，可利于将晶圆从晶圆载具表面抬起来。前缘最低部份的高度大约和基板上晶圆载具的高度相当，运作时移除铲会让晶圆在基板上向载具移动。移除铲的前缘到了晶圆载具上方表面时会放松，产生一个斜角，然后进入晶圆和载具之间的间隙，让晶圆可从载具分离，爬上晶圆支撑表面。

专利号 6404284: Amplifier bias adjustment circuit to maintain high-output third-order intermodulation distortion performance
发行日期: 2002年6月11日
存档日期: 2001年4月19日
申请编号: 837987
摘要:
在三阶互调失真产品中放大RF输入讯号，产生RF输出讯号的电路和方法。此电路和方法使用馈送讯号来控制放大器的偏压，输出三阶互调失真产品会和RF输入讯号功率单调递增。具体而言，输入功率每增加一分贝，三阶互调失真产品会根据预先决定的输出功率范围响应增加三分贝。

专利号 6314008: Adjustable low spurious signal DC-DC converter
发行日期: 2001年11月6日
存档日期: 2000年10月16日
申请编号: US2000000688548
摘要:
本发明采用AC交流信号和外部DC直流控制电压来产生多种输出直流电压值。输出电压值是由直流控制电压决定，并具有相反极性。本发明最好以平衡电路来实作，甚至可在谐波交流频率信号产生散讯。散讯可用低通滤波器过滤掉。
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专利号 6242986: Multiple-band amplifier
发行日期: 2001年6月5日
存档日期: 1998年5月18日
序号: 080786
摘要:
本发明专利为无线通讯用GaAs MMIC双频放大器，可在800MHz或1900MHz频带作业，提供想要的增益和输入输出阻抗。开关阻抗网络被用在放大器输入输出，在两个频带作业中提供相称的输入阻抗和理想输出阻抗。开关阻抗网络也用在放大器任何接续级，提供适当的级间阻抗(Interstage impedence)。双频放大器包括了偏压控制电路，会将放大器偏压在A，B，AB或C模式中运作。此外，只要在放大器上加进适当的控制信号，放大器亦可用于AMPS 800或GSM 900，或是任何其它大哥大网络运作，例如PCS 1900，并可在两种运作模式间切换。
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专利号 6005375: Amplifier using a single polarity power supply
发行日期: 1999年12月21日
存档日期: 1998年5月5日
序号: 072860
摘要:
本发明为使用单电源的功率放大器。放大器至少包含一个空乏式FET来放大AC讯号，负电压发电器则提供偏压给FET。放大器最好还包括一负电压调节器，提供调节偏压进行FET偏压在A, AB或B模式作业。负电压发电器包括多谐振荡器，提供两个频率信号和一个电荷帮浦，会接受频率讯号来产生负电压。负电压最好是以低参考电位给多谐振荡器，所产生的频率讯号才能包括负电压期，让电荷帮浦以最具效率的功率作业。
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专利号 5952860: Amplifier using a single polarity power supply
发行日期: 1999年9月14日
存档日期: 1998年5月5日
序号: 072865
摘要:
本发明为使用单电源的功率放大器。放大器至少包含一个空乏式FET来放大AC讯号，负电压发电器则提供偏压给FET。放大器最好还包括一负电压调节器，提供调节偏压进行FET偏压在A, AB或B模式作业。负电压发电器包括多谐振荡器，提供两个频率信号和一个电荷帮浦，会接受频率讯号来产生负电压。负电压最好是以低参考电位给多谐振荡器，所产生的频率讯号才能包括负电压期，让电荷帮浦以最具效率的功率作业。
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专利号 5892400: Amplifier using a single polarity power supply and including depletion mode FET and negative voltage generator
发行日期: 1999年4月6日
存档日期: 1996年12月12日
序号: 764350
摘要:
本发明为使用单电源的功率放大器。放大器至少包含一个空乏式FET 来放大AC讯号，负电压发电器则提供偏压给FET。放大器最好还包括一负电压调节器，提供调节偏压进行FET偏压在A, AB或B模式作业。负电压发电器包括多谐振荡器，提供两个频率信号和一个电荷帮浦，会接受频率讯号来产生负电压。负电压最好是以低参考电位给多谐振荡器，所产生的频率讯号才能包括负电压期，让电荷帮浦以最具效率的功率作业。
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专利号 5774017: Multiple-band amplifier
发行日期: 1998年6月30日
存档日期: 1996年6月3日
序号: 664972
摘要:
本发明专利为无线通讯用GaAs MMIC双频放大器，可在800MHz或1900MHz频带作业，提供想要的增益和输入输出阻抗。开关阻抗网络被用在放大器输入输出，在两个频带作业中提供相称的输入阻抗和理想输出阻抗。开关阻抗网络也用在放大器任何接续级，提供适当的级间阻抗(Interstage impedence)。双频放大器包括了偏压控制电路，会将放大器偏压在A，B，AB或C模式中运作。此外，只要在放大器上加进适当的控制信号，放大器亦可用于AMPS 800或GSM 900，或是任何其它大哥大网络运作，例如PCS 1900，并可在两种运作模式间切换。
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专利号 5748049: Multiple-band amplifier
发行日期: 1998年5月5日
存档日期: 1994年11月23日
序号: 344753
摘要:
多频本机振荡器)在其预先决定的几个谐振频率之一来提供LO讯号给谐振器。它具有多个LO输入埠来搭配多个谐振器，每个谐振器皆有预先决定好的谐振频率。本机振荡器被控制在其LO输出埠以定义好的谐振频率之一选择性提供输出LO讯号。

专利号 5736913: Method and apparatus for providing grounding to microwave circuit by low impedance means
发行日期: 1998年4月7日
存档日期: 1996年2月14日
序号: 601499
摘要:
提供形成双信道低电流、低噪声、低阻抗电路的方式，用来将微波电路的共享接地电路和接地电位藕合。低阻抗做法包括了多个谐振器，各自有其谐振频率，且在该频率上能有最小阻抗。谐振器的谐振频率会被选定来让谐振器合作运作，在频谱中提供低阻抗频带，而在该频带中共享接地电路和接地电位能有最低阻抗藕合。在较佳实作中，谐振器包括了连上电感接合线的电容，不同的谐振频率可用不同电容值的电容来获得。
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专利号 5659894: Dual-channel low current low noise block downconverter
发行日期: 1997年8月19日
存档日期: 1995年9月26日
序号: 533796
摘要:
一个双信道低噪声降频器的电路，包含两个降频电路彼此相连，每一个又平行连上Zener二极管，耗电最小化，零件寿命也可延长。
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专利号 5646573: Automatic gain-control transimpedance amplifier
发行日期: 1997年7月8日
存档日期: 1995年2月28日
序号: 395775
摘要:
模拟应用之自动增益互阻放大器，具有高频宽，广泛动态范围和超高线性能力。互阻放大器包含运算放大器和连在放大器输入和输出之间的可变反馈电阻。可变反馈电阻可包含一个反馈PIN二极管，两个串联的反馈PIN二极管，一个并联上反馈电阻的PIN二极管，或是两个以并联上反馈电阻的PIN二极管串联。由于PIN二极管在正向偏压下的动态阻抗具有高线性(视通过二极管的逆电流而定)，因此可达成超高线性能力。
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专利号 5625307: Low cost monolithic gallium arsenide upconverter chip
发行日期: 1997年4月29日
存档日期: 1992年3月3日
序号: 845293
摘要:
发窗体晶上变频器IC，在双转换有线电视接收器进行第一次频率转换。上变频器芯片包括三个功能模块: Gilbert型镜频抑制混频器，分相器，以及由电压控制的振荡器。混频是由包括镜频抑制电感的Gilbert型混频器来做，改善混频器的噪声系数。差动电路拓朴则让单晶上变频器芯片则利于塑料制双并列式蝙蝠翼封装，不会造成大幅效能损失。以一系列RC终接形成的嵌入式芯片RF bypass网络亦有助于补偿双并列封装针脚电感的负面影响。电阻式DC偏压设计显着减少开机延迟，测试可因此较快。
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专利号 5602510: Automatic transimpedance control amplifier having a variable impedance feedback
发行日期: 1997年2月11日
存档日期: 1995年6月8日
序号: 406279
摘要:
本专利为自动互阻控制放大器。放大器运用了自动增益控制电路，可根据输入电流在放大器的每个增益级(gain stage)同时且自动地调整互阻和电压增益值。放大器拥有大频宽，高敏感度和广泛的动态范围。
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专利号 5563545: Low cost monolithic GaAs upconverter chip
发行日期: 1996年10月8日
存档日期: 1994年9月27日
序号: 312730
摘要:
发窗体晶上变频器IC，在双转换有线电视接收器进行第一次频率转换。上变频器芯片包含三个功能模块: Gilbert型镜频抑制混频器，分相器，以及由电压控制的振荡器。混频是由包括镜频抑制电感的Gilbert型混频器来负责，可改善混频器的噪声系数。差动电路拓朴让单晶上变频器芯片可使用塑料双并列式蝙蝠翼封装，不会造成太多效能损失。以RC终接系列形成的嵌入式芯片 RF bypass网络亦有助于补偿双并列封装针脚电感的负面影响。电阻式DC偏压设计则显着降低开机延迟，因此测试较快。

专利号 5557144: Plastic packages for microwave frequency applications
发行日期: 1996年9月17日
存档日期: 1993年1月29日
序号: 01073
摘要:
本专利是应用于微波的塑料封装，最高可支持达14GHz。塑料封装包括塑料平台，内嵌在平台表面的导线架，以及位于平台上用来密封芯片的塑料帽。
导线架包括了基座，可用来安装至少一个半导体芯片，以及至少一个连结在基座上向外延伸的接地线，还包括至少一条负责半导体芯片讯号传递的讯号导线。讯号导线和至少一条接地线形成了微波传输线，例如微波共面带线或微波共面波导，负责传送微波频率讯号。本封装具备了低电感接地路径，优异热特性和低寄生电感与电容等优势，可用于高速和高频应用领域。

专利号 5493718: Dual-channel low current low noise block downconverter
发行日期: 1996年2月20日
存档日期: 1993年8月26日
序号: 112778
摘要:
本专利为形成双信道低电流低噪声降频器的电路，包括两个以串联方式互连的降频电路，并以并联方式连上Zener二极管，因此可将耗电降到最低，并可延长组件寿命。

专利号 5442321: Automatic transimpedance control amplifier
发行日期: 1995年8月15日
存档日期: 1993年7月8日
序号: 089201
摘要:
发布自动互阻控制放大器。此放大器运用了自动增益控制电路，可根据输入电流在放大器每一个增益级自动且同时地调整的互阻和电压增益。放大器拥有大频宽，高敏感度，以及广泛的动态范围等优点。

专利号 5428837: Method and apparatus for reducing local oscillator leakage in integrated circuit receivers
发行日期: 1995年6月27日
存档日期: 1993年1月13日
序号: 003897
摘要:
本技术用于降低积体频率转换电路中本地震荡器泄露，提供外部谐振电路与积体频率转换电路之藕合。藕合可不需用到任何转换电路之DC电源或接地针脚。使用本技术的频率转换电路包括谐振器，震荡器和混合电路。震荡器和混合电路有一部份是封藏于封装中，而至少有一部份的谐振电路则位于封装外面。谐振器电路的外部连结到封装中至少两个外部谐振针脚，在转换电路运作时，经由外部谐振针脚进入封装的纯电流几乎是0。

专利号 5138285: Method for reducing phase noise in oscillators
发行日期: 1992年8月11日
存档日期: 1991年7月19日
序号: 732984
摘要:
本专利是一个降低压控震荡器相位噪声之技术，既简易且被广泛运用。压控震荡器由变容器调校，经由适当选择电感线圈之电感来隔离变容器和DC偏压，此电感亦可执行噪声过滤功能(藉由关闭一部份内部产生的低频随机电子噪声)，降低震荡器相位噪声的主要来源。此一相位噪声降低技术可适用于Colpitts, Hartley, and Clapp type LC压控震荡器拓朴。

专利号 5047728: Amplifier having a low noise active GaAs MESFET load
发行日期: 1991年9月10日
存档日期: 1990年7月18日
序号: 554802
摘要:
具备主动负载电感的高增益低噪声放大器。此电路可制造成使用GaAs场效晶体管的微波单集成电路。放大器输入端连上第一MESFET之闸极。直流电压源透过低噪声主动负载配备(具备第二MESFET)连上第一MESFET之集极。负载配备亦包含电感，连结在第一MESFET集极和第二MESFET源极之间。放大器输出端连上第一MESFET之集极。

专利号 4743862: JFET current mirror and voltage level shifting apparatus
发行日期: 1988年5月10日
存档日期: 1986年5月2日
序号: 858797
摘要:
在运算放大器之电压电平转换区中运用JEFT电流镜。JFET电流镜包括第一和第二JEFT在闸极藕合，分别传导I1和I2。第三JEFT之闸极连接到第一JFET之集极，第三JFET之源极则以多个二极管连接第一JFET之闸极。流经二极管的电流会产生压降，足以将第一JFET之偏压到饱和状态，让I2可追踪I1。在I2路径上的固定电阻R会产生一个预先决定好的电压电平转换(如果I1为固定的话)。因此对R一端供给的电压会因R另一端一个预先决定的电压而进行电平转换。电压转换输出会因而和运算放大器内部的放大器区及输出缓冲区藕合。

专利号 4739282: Current bleeder amplifier with positive feedback
发行日期: 1988年4月19日
存档日期: 1986年7月21日
序号: 887217
摘要:
本专利为包含分泄电流的FET放大器，分泄电流包括正馈送路径，可增加整体增益。正馈送路径包括了额外FET，它的集极来源路径连结上分泄电流，闸极则连结放大器之输出。正馈送让电流流经分泄电流，直接因应放大器之输出而变化，因此可明显增加整体增益。