專利

25 年來不斷創新研發，眾多專利展現成果。

我們的專利每年持續增加，獨家專利技術範圍更多更廣。每一項專利都證明了我們的創新成果，更進一步證明我們在業界的技術領導地位。

以下是ANADIGICS所擁有專利的簡短說明。

您可以由以下的位址獲得詳細專利內容：
US Patent and Trademark Office

專利號 7459974: System and method for distortion cancellation in amplifiers
專利號 7443236: CDMA power amplifier desugn for low and high power modes
專利號 7400873: Method and system for image rejection by using post mixer I/Q equalization
專利號 7385447:Power amplifier having curve-fitting predistorter
專利號 7348852: Device and method for power amplifier noise reduction 
專利號 7301396: System and method for distortion cancellation in amplifiers
專利號 7292104: Variable gain amplifier
專利號 7248111: Multi-mode digital bias control for enhancing power amplifier efficiency 
專利號 7202736: CDMA power amplifier design for low and high power modes
專利號 7173406: Method and apparatus for gain control
專利號 7102444: Method and apparatus for compensating and improving efficiency in a variable power amplifier
專利號 7071514: Electrostatic discharge protection device
專利號 7019508: Temperature compensated bias network
專利號 7015519: Structures and methods for fabricating vertically integrated HBT/FET device
專利號 7009454: Method and apparatus for optimization of amplifier with adjustable output range
專利號 6998920: Monolithically Fabricated HBT Amplification Stage with Current Limiting FET
專利號 6970039: Efficiency enhancement for MMIC amplifiers
專利號 6937102: Low bias current/temperature compensation current mirror for linear power amplifier
專利號 6882227: Bias Circuit Linearization and Dynamic Power Control
專利號 6856004: Compact layout for a semiconductor device
專利號 6853526: Transient Overvoltage Protection Circuit
專利號 6842075: Gain Block with Stable Internal Bias from Low-voltage Power Supply
專利號 6806767: Power Amplifier with Load Switching Circuit
專利號 6803824: Dynamic Matching in Cascode Circuits
專利號 6760900: Integrated circuits with scalable design
專利號 6759922: High directivity multi-band coupled-line coupler for RF power amplifier
專利號 6753734: Multi-mode amplifier bias circuit
專利號 6724067: Low stress thermal and electrical interconnects for heterojunction bipolar transistors
專利號 6719518: Portable tube holder apparatus
專利號 6710657: Gain control circuit with well-defined gain states
專利號 6664500: Laser-trimmable digital resistor
專利號 6645790: System and Method for Prototyping and Fabricating Complex Microwave Circuits
專利號 6642578: Improved Linearity Radio Frequency Switch with Low Control Voltage
專利號 6639466: Amplifier bias adjustment circuit to maintain high-output third-order intermodulation distortion performance
專利號 6580321: Active clamping circuit for power amplifier
專利號 6577198: Active power splitter with impedance matching
專利號 6559722: Low bias current/temperature compensation current mirror for linear power amplifier
專利號 6554949: Wafer demount receptable for separation of thinned wafer from mounting carrier
專利號 6515546: Bias circuit for use with low-voltage power supply
專利號 6501331: Multi-band amplifier
專利號 6491083: Wafer demount receptacle for separation of thinned wafer from mounting carrier
專利號 6470946: Wafer demount gas distribution tool
專利號 6458640: GaAs MESFET having LDD and non-uniform P-well doping profiles
專利號 6437585: Electrical contactor for automatic testing of chips including RF chips
專利號 6415843: Spatula for separation of thinned wafer from mounting carrier
專利號 6404284: Amplifier bias adjustment circuit to maintain high-output third-order intermodulation distortion performance
專利號 6314008: Adjustable low spurious signal DC-DC converter
專利號 6242986: Multiple-band amplifier
專利號 6005375: Amplifier using a single polarity power supply
專利號 5952860: Amplifier using a single polarity power supply
專利號 5892400: Amplifier using a single polarity power supply
專利號 5774017: Multiple-band amplifier
專利號 5748049: Multi-frequency local oscillators
專利號 5736913: Method and apparatus for providing grounding to microwave circuit by low impedance means
專利號 5659894: Dual-channel low current low noise block downconverter
專利號 5646573: Automatic gain-control transimpedance amplifier
專利號 5625307: Low cost monolithic gallium arsenide upconverter chip
專利號 5602510: Automatic transimpedance control amplifier variable impedance feedback
專利號 5563545: Low cost monolithic GaAs upconverter chip
專利號 5557144: Plastic packages for microwave frequency applications
專利號 5493718: Dual-channel low current low noise block downconverter
專利號 5442321: Automatic transimpedance control amplifier
專利號 5428837: Method and apparatus for reducing local oscillator leakage in IC receivers
專利號 5138285: Method for reducing phase noise in oscillators
專利號 5047728: Amplifier having a low noise active GaAs MESFET load
專利號 4743862: JFET current mirror and voltage level shifting apparatus
專利號 4739282: Current bleeder amplifier with positive feedback

專利號7459974: System and method for distortion cancellation in amplifiers
發行日期： 2008年12月2日
存檔日期： 2007年11月27日
申請編號： 11/945,800
摘要：
失真清除放大器包含了一個主放大器及一個誤差放大器。主放大器主要用來回應輸入信號，接著產生由放大信號元件和失真信號所組成的輸出信號。誤差放大器以估量及偏置產生，以便針對相同的輸入信號做出反應。此失真信號組件，有著和主放大器失真信號組件相同的可觀規模。此失真信號組件來自於誤差放大器，是由主要放大器的輸出信號減去而產生。

專利號 7443236: CDMA power amplifier design for low and high power modes
發行日期： 2008年10月28日
存檔日期： 2007年4月6日
申請編號： 11/784,541
摘要：
一種會根據功率模式訊號做響應的放大器電路，可有效改善低功率等級時的效率，而且也不會因此犠牲高功率等級時的效率。在低功率時會提供高阻抗以及適當調整訊號之相位，預失真線性技術則可改善高功率時的效率；在低功率等級時將預失真電路關閉也只會小幅增加差損。功率放大器也使用了內含雙諧波共振過濾器的偏壓電路，可在基頻提供高阻抗，次諧波提供低阻抗。這些特性尤具優勢，因為雖然手機在最高功率等級使用時效率最高，但手機放大器大部份都是在低功率模式下使用。

專利號 7400873: Method and system for image rejection by using post mixer I/Q equalization
發行日期： 2008年7月15日
存檔日期： 2005年10月20日
申請編號： 11/254,386
摘要：
此發明提供了使用後混音I/Q均衡器來調整寬頻信號的系統和方法。影像抑制混頻器（IRM）用於混合射頻（RF）信號，並阻絶來自射頻信號的圖像信號。此IRM包含了一個I/Q混頻器和一個過濾器。 I和Q路徑的產生來自於I/Q混合器中，被I/Q均衡器平衡過之增幅和相位的混合運算。自此之後，使用了過濾器的理想射頻信號便可阻斷圖像信號。

專利號 7385447: Power amplifier having curve-fitting predistorter
發行日期： 2008年6月10日
存檔日期： 2004年6月28日
申請編號： 10/879,940
摘要：
功率放大器有個多元化的放大器階段。一個或多個預失真器被個别安置於功率放大器路徑內的各放大器階段。預失真器在預失真曲線和分裂預失真曲線進入多元化的細分市場時設置斷點。每個預失真器會進行調整，以適應斜率的每一部份變化。這種調整形成了分段曲線擬合的概略逆放大器傳輸特性。該擬合曲線，可任意憑藉足夠數量斷點的選擇，以接近放大器的調轉特性，並因此有足夠數量的預失真曲線段，引領至功率放大器令人滿意的線性化。

專利號 7348852: Device and method for power amplifier noise reduction
發行日期： 2008年3月25日
存檔日期： 2004年11月8日
申請編號： 11/784,541
摘要：
此功率放大器用於無線通信設備，可降低無線通信設備接收頻段輸出放大器所產生的噪聲。以諧振電路植入基地鎮流器電阻與集總電阻，來調整諧振電路的共振頻率，以符合通信設備接收頻段與頻偏傳輸頻率之間所對應的峰值噪聲。

專利號 7301396: System and method for distortion cancellation in amplifiers
發行日期： 2007年11月27日
存檔日期： 2004年12月16日
申請編號： 11/015,863
摘要：
消除失真放大器擁有一個主放大器和一個誤差放大器。主要放大器，主要是回應一個輸入信號，產生一個放大信號和信號失真組成元件的輸出信號。誤差放大器是依信號大小和誤差產生,以回應相同的輸入信號, 此輸入信號有與主放大器大致相同的失真信號元件。失真的信號元件，是由誤差放大器減去主放大器的輸出信號。

專利號 7292104: Variable gain amplifier
發行日期： 2007年11月6日
存檔日期： 2005年2月11日
申請編號： 11/057,304
摘要：
可變增益放大器由變量發射極電阻控制信號。可變電阻器包括一個連接集合器和發射器之間的控制晶體管。不同的增益放大器，適用不同的控制晶體管以控制信號，增益控制晶體管可用來控制晶體管的飽和。

專利號 7248111: Multi-mode digital bias control for enhancing power amplifier efficiency 
發行日期： 2007年7月24日
存檔日期： 2005年4月14日
申請編號： 11/106,254
摘要：
提供具有多重模式的數位偏移控制電路的功率放大器。此功率放大器採用相補相成的電壓產生電路和偏移電流控制電路，以產生不同程度輸出功率的偏移電流。以目前發明的具體成效來看,功率放大器電路可連接到一個參考電壓和兩個控制信號。取決於對輸出功率程度的需求，控制信號在放大晶體管中設置相對應的偏移電流，以確保有足夠的線性關係。功率放大器能夠在非常低靜態電流的程度之下運作，例如5mA。結果為可顯著地改善功率放大器的整體效能，增加無線通信設備電池的通話時間。此發明可應用在無線通信設備，例如CDMA、WCDMA、EDGE和WLAN等行動通訊設備的應用上。

專利號 7202736: CDMA power amplifier design for low and high power modes
發行日期： 2007年4月10日
存檔日期： 2004年3月23日
申請編號： 10/807,764
摘要：
在低功耗水準下，放大器電路回應功率模式信號，在高功率的水準下，不損害效率且提高功率。在低功耗水準下，以適當的調整信號展現高阻抗。此外，為預失真線性化提高效率，並且在高功率低功耗層次下，提供比極小的插入損耗高一點的預失真線性化。功率放大器還採用植入雙諧波共振濾波器的偏置電路，來提供在基本頻率和低阻抗的二次諧波下的高阻抗。這些屬性特別有效，因為手機中的放大器使用的低功耗模式，主要目是在最高功率水平下提供最佳效能。

專利號 7173406: Method and apparatus for gain control
發行日期： 2007年2月6日
存檔日期： 2004年8月26日
申請編號： 10/927,363
摘要：
功率放大器增益控制，提供顯示綜合電路的方法及裝置。提供低成本的連續變異增益控制，作為對照兩國或多國先前開發解決方案的能力，可提供顯示一致性的改善方式，和控制增益使用的特點。

專利號 7102444: Method and apparatus for compensating and improving efficiency in a variable power amplifier
發行日期： 2006年9月5日
存檔日期： 2004年9月24日
申請編號： 10/949,087
摘要：
將放大器化身為整合電路的方式或裝置，如: 無線電頻率放大器轉化為整合電路. 轉化物可提供以優良的功效在多功率水準中運行。共振元件在大範圍的功率使用程度之下，提供一致的運行參數。補償阻抗在高功率模式下，開關轉入或轉出電路，以改善沒有補償作用的附屬開關。改善過的補償作用和線性可提供使用中的特徵。此項發明也可應用於微波或其他RF相關領域。

專利號 7071514: Electrostatic discharge protection device
發行日期： 2006年7月4日
存檔日期： 2004年12月2日
申請編號： 002302
摘要：
壓縮ESD保護裝置，是利用逆轉分解電壓的基極-射極接合點，作為觸發二極體開關晶體管，將偏流的ESD電流傳導至地面。觸發二極體系列與洩漏二極體提供了一個分流反向路徑，將偏壓的ESD電流分流至地面。洩漏二極體配對觸發二極體，將任何滲漏的電流從觸發二極體分流至地面。

專利號 7019508: Temperature compensated bias network
發行日期： 2006年3月28日
存檔日期： 2004年6月24日
申請編號： 875819
摘要：
將溫度補償偏移網路化身為顯示綜合電路的方式或裝置，提供可符合理想與穩定性佳的溫度特性。流通反射鏡組件與活性滲漏電路可能在廣泛的溫度範圍下運行，提供一致性的操作參數。改善補償作用和線性可提供使用的特徵。

專利號 7015519: Structures and methods for fabricating vertically integrated HBT/FET device
發行日期： 2006年3月21日
存檔日期： 2004年2月20日
申請編號： 783830
摘要：
披露使HBT/FET整合為一套的製造方法和系統。首選的轉化包含整合以砷化鎵為基礎的HBT和FET的製程方法。該方法包含的步驟為：增加第一套晶膜層，支持在半絶緣砷化鎵支援下的FET；製造高厚砷化鎵層做為FET的最上層, 及屬於HBT的替代集極層；並產生第二套晶膜層HBT來製造HBT。

專利號 7009454: Method and apparatus for optimization of amplifier with adjustable output range
發行日期： 2006年3月7日
存檔日期： 2004年1月20日
申請編號： 760698
摘要：
發表適用於放大器(例如以積體電路方式實作之射頻放大器)的方法與儀器。此實作提供了廣泛的作業功率，且在多個功率等級具備優異的能源效率。諧振元件可在廣泛功率等級中提供一致的作業參數。此項發明可在微波頻帶或其它射頻中作業。

專利號 6998920: Monolithically Fabricated HBT Amplification Stage with Current Limiting FET
發行日期： 2006年2月14日
存檔日期： 2004年2月20日
申請編號： 783825
摘要：
發表包含了至少一種異質接面雙載子電晶體(HBT)和場效電晶體的單片積體放大器。場效電晶體在嚴重負載不均和高過載時會限制輸入到HBT的基極電流和/或集極電流，因此可提昇耐用度。

專利號 6970039: Efficiency enhancement for MMIC amplifiers
發行日期： 2005年11月29日
存檔日期： 2003年10月23日
申請編號： 692232
摘要：
本發明係針對組態成運用Doherty放大器之效率強化技術的單晶片積體電路功率放大器。單晶片積體功率放大器可使用本專利獨家設計的偏壓電路來實作。此外，運用了合併HBT/FET製程和集總四分之一波長變壓器後，很適合將Doherty放大器實作於本專利所提到的單晶片技術。

專利號 6937102: Low bias current/temperature compensation current mirror for linear power amplifier
發行日期： 2005年8月30日
存檔日期： 2002年7月29日
申請編號： 208636
摘要：
本專利是藉由在低驅動信號範圍運作時減少靜態電流，讓功率放大器電路之作業貼近在Class B模式運作以獲致最佳效能。當驅動訊號振幅增加，放大器會可動態調整為在Class AB模式運作，也就增加電路了在KIW驅動等級的功率效率。其它針對功率放大電路之改善技術還包括了温度補償電路，調整放大器之偏壓，讓它在廣大的温度範圍內皆有穩定效能。

專利號 6882227: Bias Circuit Linearization and Dynamic Power Control
發行日期： 2005年4月19日
存檔日期： 2003年9月15日
申請編號： 662849
摘要：
本專利是一個能夠將具備控制終端，電流集終端和電流源終端和的電晶體放大器進行偏壓的電晶體偏壓電路，讓其在對應的射頻與微波頻帶控制互調變與線性化輸出。此外，本電路實作亦可進行動態功率控制。本發明的電晶體偏壓電路使用了漏電流來改變電晶體放大器之電子特性。偏壓電路包含了具備控制終端，電流集和電流源終端的偏壓電晶體。另外也提供了至少一個DC輸入埠，一個共振元件，二極體元件及阻抗元件。

專利號 6856004: Compact layout for a semiconductor device
發行日期： 2005年2月15日
存檔日期： 2002年12月19日
申請編號： 327512
摘要：
本半導體設備包括了半導體基板，一個位於基板上表層之電級，以及一或多位於基板上表層的電晶體元件。電晶體元件以臨界距離緊密圍繞電級。某一實作中，半導體組緊密地圍繞導電孔，在另一實作中，元件建構成雙極接面電晶體，其整體發射器長度小於10微米。而在另一個實作中，設備與RF電路藕合進行功率放大。

專利號 6853526: Transient Overvoltage Protection Circuit
發行日期： 2005年2月8日
存檔日期： 2000年9月22日
申請編號： 668181
摘要：
本發明為防止積體電路瞬態過電壓的電路與方法，電路包含平衡-不平衡變壓器和正常關電晶體。Balun輸入終端連上不平衡電路，輸出終端則是連上平衡電路。電晶體連結於balun輸出終端之間，其閘門接地或接其它參考電壓。當過電壓瞬態訊號到達balun輸入終端時，balun變壓器會在平衡電路的兩個分支將瞬態轉成平衡瞬態信號。在過電壓時，balun輸出終端會讓電壓擺盪的夠低，保護電晶體因而啟動，有效地把過電壓突波短路，保護任何上游或下游IC零件不致損壞。當瞬態電壓結束，電晶體又會回復到「關閉」狀態。

專利號 6842075: Gain Block with Stable Internal Bias from Low-voltage Power Supply
發行日期： 2005年1月11日
存檔日期： 2002年12月13日
申請編號： 319921
摘要：
本專利提供電晶體偏壓電路，可在欲進行偏壓的電晶體之基頻發射器電壓二倍多一點的電源電壓運作。此偏壓電路包括了一個電晶體，以鏡射電流組態方式連上它欲偏壓的電晶體。饋送電路會以恆常值維持鏡射電流。饋送電路之增益係透過在饋送電路中增加非反相放大器來達成。在較佳實作中，偏壓電晶體會同時存在於Darlington和鏡射電流組態中。而且，饋送電路中的饋送電晶體也會同時存在於Darlington組態中，因此提供了Darlington放大器組件有效的偏壓佈置方式。

專利號 6806767: Power Amplifier with Load Switching Circuit
發行日期： 2004年10月19日
存檔日期： 2002年7月9日
申請編號： 190567
摘要：
功率放大器電路包括了會依功耗模式訊號回應的功率放大器、含功率放大器輸出節點的功率放大器、一個可回應功耗模式訊號的功率放大器負載電路、負載電路輸入節點連上功率放大器輸出節點的功率放大器輸出電路。此功率放大器負載電路之第一輸電線路在負載電路輸入節點與第一節點間耦合，諧波濾波器在負載電路輸入節點和公共節點間耦合，第一電容器在第一節點與公共節點間耦合，第一切換器在公共節點與接地間藕合，而第一切換器回應功率模式訊號。

專利號 6803824: Dynamic Matching in Cascode Circuits
發行日期： 2004年10月12日
存檔日期： 2001年12月18日
申請編號： 024943
摘要：
發表一種用於可變增益串疊放大器(或稱衰減器) 的方法及裝置。此實作提供了補償性輸入阻抗。增益/阻抗控制器會因應增益調整補償輸入阻抗。

專利號 6760900: Integrated circuits with scalable design
發行日期： 2004年7月6日
存檔日期： 2001年12月3日
申請編號： 004976
摘要：
在製造積體電路時，設計至少一個光罩的方法。此法包括產生示意圖、把代表資料的電晶體輸入到電腦輔助的設計系統、找出會因電力軌和地軌電壓超過界限而影響的電晶體、指定電晶體的耐用幾何和操作電腦輔助的設計系統來產生光罩。可擴充的積體電路亦有介紹。

專利號 6759922: High directivity multi-band coupled-line coupler for RF power amplifier
發行日期： 2004年7月6日
存檔日期： 2002年5月20日
申請編號： 147987
摘要：
本發明為適合射頻功率放大器模組應用的微型高方向性多波段耦合線耦合器。本耦合器採用三耦合線結構: 第一RF線指定了GSM的 900 MHz頻段的耦合線路，第二RF線指定了DCS/PCS 1800/1900MHZ頻帶的耦合線路，以及共用耦合線路。第一電容器連接於第一線中間和共同路線中間，第二電容器連接於第二線中間和共同路線中間。耦合器長度比四分之一波長耦合器短上許多，但還是可做到符合GSM頻段與DCS / PCS頻段之方向性要求。

專利號 6753734: Multi-mode amplifier bias circuit
發行日期： 2004年6月22日
存檔日期： 2003年2月4日
申請編號： 358371
摘要：
發表了能夠在溫度和供電電壓出現大變化時仍展現卓越穩定性的偏壓電路技術，並能夠產生多個輸出電流值的給偏壓RF功率放大器。依據本發明，偏壓電路包括了(1)以鏡射電流組態方式連結從電晶體的主電晶體，並具備兩個平行連接的電晶體元件，(2)連接到至少一個電晶體元件的開關，以便控制其運作，以及(3)反饋電路，其中主電晶體的集電極電壓可反饋來控制主電晶體和從電晶體之基極電壓。另外，在迴路中，偏壓電路可電晶體之基極-發射極兩倍多的供電電壓下作業。

專利號 6724067: Low stress thermal and electrical interconnects for heterojunction bipolar transistors
發行日期： 2004年4月20日
存檔日期： 2002年10月7日
申請編號： 265548
摘要：
本發明為異質接面電晶體之熱和電互連。其中，互連中含金成份，存在於每個電氣交錯指影的熱和電接點中，能夠在0.25-1.5 mw/.mu.m2範圍內傳送熱流。此互連經過電解沈積後與發射極指形成低應力界面，從而提高電晶體壽命和可靠性。

專利號 6719518: Portable tube holder apparatus
發行日期： 2004年4月13日
存檔日期： 2001年10月15日
申請編號： 977740
摘要：
發表了一種可攜式管載具及管載方法，可以安全且快速的將裝有電子元件之載管引入機器內。此載管之導管尺寸可收納多管，並具備可支撐導管的支架。載管可在工作站地區同時裝載多管，然後安全地運送管到機器，不會發生元件掉出管的風險。支架最好是可滑式，可將導管中所有的管可立即傳送到機器的饋送系統，達到快速裝載目的，讓裝載期間必須停機的時間最小化。可攜式管載具最好具備一個設計來便於將裝載導管與機器之饋送系統導管對齊的介面。

專利號 6710657: Gain control circuit with well-defined gain states
發行日期： 2004年3月23日
存檔日期： 2001年10月12日
申請編號： 975849
摘要：
電流導引增益控制電路提供非零最小增益值，迅速重製控制訊號，而不需要精密控制-訊號-產生電路。增益控制電路是根據傳統電流驅動型電晶體之差動對改良，分別對第一和第二控制訊號進行偏壓。為提供定義完整的非零最小增益值，此增益控制電路包括至少一個電流驅動型電晶體，會在最小增益狀態下作業時將電流進一步導引至輸出。由於增加了一或多對電流驅動電晶體，增益控制電路提供了在電路最大和最小增益值之間多種定義完整的狀態。最小和中間增益值可藉由區別電流導引電晶體(可為BJT或FET)的物理特性來選擇。電路可在單端或差動組態下實作。

專利號 6664500: Laser-trimmable digital resistor
發行日期： 2003年12月16日
存檔日期： 2000年12月16日
申請編號： 737699
摘要：
發表了可乾淨修裁或分離無摻雜的砷化鎵基板產生的阻抗鏈路，但不會傷或影響其相隣的電路結構或其下層或週圍基板的雷射系統與方法。此系統包括了可在0.9至1.5 .mu.m波長範圍內輸出的雷射源、在無摻雜的砷化鎵基板上形成的阻抗膜結構、以及可將雷射光源和目標體對齊的光束定位器與對焦系統。方法是在大約0.9至1.5 .mu.m波長範圍內產生雷射輸出，並將雷射輸出導到照亮砷化鎵基板上的阻抗薄膜結構。阻抗薄膜結構包括了第一層的保護性介電和一層阻抗薄膜質，而在阻抗薄膜質上最好有第二層保護性介質。另外，本專利也發表了阻抗性修裁網，可適用於需要130mA靜態電流的功率放大器之偏壓電路。修裁網包括了11個薄膜電阻，以非對稱陣列的串聯電阻，並聯電阻和切入電阻方式排列。

專利號 6645790: System and Method for Prototyping and Fabricating Complex Microwave Circuits
發行日期： 2003年11月11日
存檔日期： 2001年12月21日
申請編號： 032321
摘要：
本項發明適合用在建立RF整合微波電路系統和方法時，可支援多項應用，讓多個RD功能可在RF積體微波電路製造後從一個通用積體電路獲得。更具體而言，本發明可形成MMIC陣列和基板所需的主動和被動基礎配件，可在積體電路製造後以多種方法耦合起來，形成多種應用。做法上是製造具備了多個種主動配件的晶片，主動配件可支援多種不同運用，並以不同方式在製造後耦合，調整或調校。

專利號 6642578: Improved Linearity Radio Frequency Switch with Low Control Voltage
發行日期： 2003牛11月4日
存檔日期： 2002年7月22日
申請編號： 201494
摘要：
本發明為一種可用在無線電頻率交換應用，並具備線形效能特徵的場效電晶體。電晶體包括了多種閘極線，源極，汲極，以及兩個在線路路徑上的多個點和源極，汲極與閘極進行電耦合的前饋電容。改良的電晶體最好包括三或多閘極線，會對諧波抑制有所助益。

專利號 6639466: Amplifier bias adjustment circuit to maintain high-output third-order intermodulation distortion performance
發行日期： 2003年10月28日
存檔日期： 2002年6月11日
申請編號：167604
摘要：
在三階互調失真產品中放大RF輸入訊號，產生RF輸出訊號的電路和方法。此電路和方法使用饋送訊號來控制放大器的偏壓，輸出三階互調失真產品會和RF輸入訊號功率單調遞增。具體而言，輸入功率每增加一分貝，三階互調失真產品會根據預先決定的輸出功率範圍回應增加三分貝。

專利號 6580321: Active clamping circuit for power amplifier
發行日期： 2003年6月17日
存檔日期： 2001年8月24日
申請編號： 939183
摘要：
多階功率放大器用的主動箝位電路包括了會影響放大器增益的饋送電路。饋送電路之輸出會經由濾波器和箝位電晶體而饋送給功率放大器至少一階的輸入端。饋送到過濾波器和箝位電晶體的輸出可以是連上功率放大器輸出端的二極體堆疊中的一或多二極體。

專利號 6577198: Active power splitter with impedance matching
發行日期： 2003年6月10日
存檔日期： 2002年3月21日
申請編號： 101775
摘要：
具有內部饋送電路的單輸入/多輸出功率分岐器。另一個分離的放大電路(例如電晶體)會被用來驅動每個輸出。電晶體可用共同來源/發射極放大組態方式排列，組態中的閘極/基極連在一起形成輸入節點。每個電晶體都有相關的饋送電路，包括被動電路元件(例如電阻)。被動電路元件會連結在電晶體汲極/集極(drain/collector)和共同中介連結節點之間，而所有饋送電阻也連結在此。共同中介節點會透過分離的輸入電阻連上單一輸出。

專利號 6559722: Low bias current/temperature compensation current mirror for linear power amplifier
發行日期： 2003年5月6日
存檔日期： 2000年8月8日
申請編號： 634628
摘要：
本專利是藉由在低驅動信號範圍運作時減少靜態電流，讓功率放大器電路之作業貼近在Class B模式運作以獲致最佳功耗效率。當驅動訊號振幅增加，放大器會可動態偏壓，在Class AB模式運作。其它針對功率放大電路之改善技術還包括了温度補償電路，調整放大器之偏壓，讓它在廣大的温度範圍內皆有穩定效能。

專利號 6554949: Wafer demount receptable for separation of thinned wafer from mounting carrier
發行日期： 2003年4月29日
存檔日期： 2002年9月17日
申請編號： 244548
摘要：
晶圓缷載接收機台主要是包括了圓板部件和圓板部件週邊的直立邊緣結構。邊緣結構為階層式，包括了定義第一直徑的第一階，以及定義第二直徑的第二階(大於第一直徑)。第一階的riser高度很低，而載運機台周圍相鄰表面會靠在第一階路徑上，因此圓板部件和密合在載具機台的脆弱半導體晶圓之間距，可以讓晶圓在從載運機台部份缷載時，限制其邊緣部份只向圓板部件彎曲。圓板部件還具有洞狀形態，可在溶劑上產生渦電流，流向晶圓，載具機台和接收機台，在晶圓和載具機台間軟化與溶解表面黏著劑，以使晶圓從載具機台分離。晶圓缷載接收機器可用來和晶圓缷載工具搭配使用，晶圓缷載工具包括了一個由背板和觸板間形成的chamber。Chamber含進氣口，可導入加壓氣體，觸片則包含多個穿孔。晶圓缷載工具和晶圓缷載接收機器搭配，觸板和晶圓缷載接收器上的載具機台之背面並列。流過晶圓缷載工具的加壓氣體會將溶劑由晶圓載具介面分離，進一步促使晶圓從載具分開。

專利號 6515546: Bias circuit for use with low-voltage power supply
發行日期： 2003年2月4日
存檔日期： 2001年6月6日
申請編號： 875117
摘要：
提供電晶體偏壓電路，能夠從供電電壓運作，其電壓比欲偏壓的電晶體發射極基極電壓兩倍稍微高一點。此偏壓電路包括了一個電晶體，以鏡射電流)組態方式連上它欲偏壓的電晶體。饋送電路會以恆常值維持鏡射電流。饋送電路之增益係透過在饋送電路中增加非反相放大器來達成。

專利號 6501331: Multi-band amplifier
發行日期： 2002年12月31日
存檔日期： 2001年3月29日
申請編號： 821177
摘要：
本發明專利為無線通訊用GaAs MMIC雙頻放大器，可在800MHz或1900MHz頻帶作業，提供理想的增益和輸入輸出阻抗。開關阻抗網路被用在放大器輸入輸出，在兩個頻帶作業中提供相稱的輸入阻抗和理想輸出阻抗，亦可用在放大器任何接續級，提供適當的級間阻抗。雙頻放大器包括了偏壓控制電路，會將放大器偏壓在A，B，AB或C模式中運作。另外，只要在放大器上加進適當的控制信號，也可在AMPS 800或GSM 900，或是任何其他大哥大網路運作，例如PCS 1900，並在兩種運作模式間切換。

專利號 6491083: Wafer demount receptacle for separation of thinned wafer from mounting carrier
發行日期： 2002年12月10日
存檔日期： 2001年2月6日
申請編號： 776758
摘要：
晶圓缷載接收機台主要是包括了圓板部件和圓板部件週邊的直立邊緣結構。邊緣結構為階層式，包括了定義第一直徑的第一階，以及定義第二直徑的第二階(大於第一直徑)。第一階的riser高度很低，而載運機台周圍相鄰表面會靠在第一階路徑上，因此圓板部件和密合在載具機台的脆弱半導體晶圓之間距，可以讓晶圓在從載運機台部份缷載時，限制其邊緣部份只向圓板部件彎曲。圓板部件還具有洞狀形態，可在溶劑上產生渦電流，流向晶圓，載具機台和接收機台，在晶圓和載具機台間軟化與溶解表面黏著劑，以使晶圓從載具機台分離。晶圓缷載接收機器可用來和晶圓缷載工具搭配使用，晶圓缷載工具包括了一個由背板和觸板間形成的chamber。Chamber含進氣口，可導入加壓氣體，觸片則包含多個穿孔。晶圓缷載工具和晶圓缷載接收機器搭配，觸板和晶圓缷載接收器上的載具機台之背面並列。流過晶圓缷載工具的加壓氣體會將溶劑由晶圓載具介面分離，進一步促使晶圓從載具分開。

專利號 6470946: Wafer demount gas distribution tool
發行日期： 2002年10月29日
存檔日期： 2002年2月6日
申請編號： 776922
摘要：
晶圓缷載接收機台主要是包括了圓板部件和圓板部件週邊的直立邊緣結構。邊緣結構為階層式，包括了定義第一直徑的第一階，以及定義第二直徑的第二階(大於第一直徑)。第一階的riser高度很低，而載運機台周圍相鄰表面會靠在第一階路徑上，因此圓板部件和密合在載具機台的脆弱半導體晶圓之間距，可以讓晶圓在從載運機台部份缷載時，限制其邊緣部份只向圓板部件彎曲。圓板部件還具有洞狀形態，可在溶劑上產生渦電流，流向晶圓，載具機台和接收機台，在晶圓和載具機台間軟化與溶解表面黏著劑，以使晶圓從載具機台分離。晶圓缷載接收機器可用來和晶圓缷載工具搭配使用，晶圓缷載工具包括了一個由背板和觸板間形成的chamber。Chamber含進氣口，可導入加壓氣體，觸片則包含多個穿孔。晶圓缷載工具和晶圓缷載接收機器搭配，觸板和晶圓缷載接收器上的載具機台之背面並列。流過晶圓缷載工具的加壓氣體會將溶劑由晶圓載具介面分離，進一步促使晶圓從載具分開。

專利號 6458640: GaAs MESFET having LDD and non-uniform P-well doping profiles
發行日期： 2002年10月1日
存檔日期： 2001年6月4日
申請編號： 871740
摘要：
MESFET有一個傳導渠道，提供了第一次摻雜配方給介於源極和閘極間的第一部份，第二摻雜配方則供介於閘極和集極的第二部分。背景P-type區域位於第一部分下方，但不一定在第二部分後面。

專利號 6437585: Electrical contactor for automatic testing of chips including RF chips
發行日期： 2002年8月20日
存檔日期： 2000年10月27日
申請編號： 699179
摘要：
提供電接觸器，在晶片和PCB板間建立電接點，以便測試由導電層和接地點基座組成的晶片。接地點基座最好是壓接式，焊接到PCB的接地層，才能和晶片有良好的接地接觸。此外，接觸器最好是薄型，不會和晶片裏敏感的電子元件產生電干擾。接觸器表面製程也不要用塑膠框，塑膠框會降低對PCB的存取能力，，使得微調PCB內電子元件變的困難。接觸點的導電層最好有兩個孔可掛在定位銷和PCB板，並且用兩個O形環固定在定位銷上。

專利號 6415843: Spatula for separation of thinned wafer from mounting carrier
發行日期： 2002年7月9日
存檔日期： 2001年1月10日
申請編號： 756849
摘要：
晶圓移除鏟上有一握柄連上托盤，握柄軸有一對支撐導引，托盤上則有晶圓支撐表面落在托盤支撐表面上。支撐導引和托盤支撐表面係經過組態與尺寸量測，以確保晶圓支撐表面和基板上表面平行。晶圓支撐表面的前緣有一個斜面，可利於將晶圓從晶圓載具表面抬起來。前緣最低部份的高度大約和基板上晶圓載具的高度相當，運作時移除鏟會讓晶圓在基板上向載具移動。移除鏟的前緣到了晶圓載具上方表面時會放鬆，產生一個斜角，然後進入晶圓和載具之間的間隙，讓晶圓可從載具分離，爬上晶圓支撐表面。

專利號 6404284: Amplifier bias adjustment circuit to maintain high-output third-order intermodulation distortion performance
發行日期： 2002年6月11日
存檔日期： 2001年4月19日
申請編號： 837987
摘要：
在三階互調失真產品中放大RF輸入訊號，產生RF輸出訊號的電路和方法。此電路和方法使用饋送訊號來控制放大器的偏壓，輸出三階互調失真產品會和RF輸入訊號功率單調遞增。具體而言，輸入功率每增加一分貝，三階互調失真產品會根據預先決定的輸出功率範圍回應增加三分貝。

專利號 6314008: Adjustable low spurious signal DC-DC converter
發行日期： 2001年11月6日
存檔日期： 2000年10月16日
申請編號： US2000000688548
摘要：
本發明採用AC交流信號和外部DC直流控制電壓來產生多種輸出直流電壓值。輸出電壓值是由直流控制電壓決定，並具有相反極性。本發明最好以平衡電路來實作，甚至可在諧波交流頻率信號產生散訊。散訊可用低通濾波器過濾掉。
相關新聞

專利號 6242986: Multiple-band amplifier
發行日期： 2001年6月5日
存檔日期： 1998年5月18日
序號： 080786
摘要：
本發明專利為無線通訊用GaAs MMIC雙頻放大器，可在800MHz或1900MHz頻帶作業，提供想要的增益和輸入輸出阻抗。開關阻抗網路被用在放大器輸入輸出，在兩個頻帶作業中提供相稱的輸入阻抗和理想輸出阻抗。開關阻抗網路也用在放大器任何接續級，提供適當的級間阻抗。雙頻放大器包括了偏壓控制電路，會將放大器偏壓在A，B，AB或C模式中運作。此外，只要在放大器上加進適當的控制信號，放大器亦可用於AMPS 800或GSM 900，或是任何其他大哥大網路運作，例如PCS 1900，並可在兩種運作模式間切換。
相關新聞

專利號 6005375: Amplifier using a single polarity power supply
發行日期： 1999年12月21日
存檔日期： 1998年5月5日
序號： 072860
摘要：
本發明為使用單電源的功率放大器。放大器至少包含一個空乏式FET來放大AC訊號，負電壓發電器則提供偏壓給FET。放大器最好還包括一負電壓調節器，提供調節偏壓進行FET偏壓在A, AB或B模式作業。負電壓發電器包括多諧振盪器，提供兩個時脈信號和一個電荷幫浦，會接受時脈訊號來產生負電壓。負電壓最好是以低參考電位給多諧振盪器，所產生的時脈訊號才能包括負電壓期，讓電荷幫浦以最具效率的功率作業。
相關新聞

專利號 5952860: Amplifier using a single polarity power supply
發行日期： 1999年9月14日
存檔日期： 1998年5月5日
序號： 072865
摘要：
本發明為使用單電源的功率放大器。放大器至少包含一個空乏式FET來放大AC訊號，負電壓發電器則提供偏壓給FET。放大器最好還包括一負電壓調節器，提供調節偏壓進行FET偏壓在A, AB或B模式作業。負電壓發電器包括多諧振盪器，提供兩個時脈信號和一個電荷幫浦，會接受時脈訊號來產生負電壓。負電壓最好是以低參考電位給多諧振盪器，所產生的時脈訊號才能包括負電壓期，讓電荷幫浦以最具效率的功率作業。
相關新聞

專利號 5892400: Amplifier using a single polarity power supply and including depletion mode FET and negative voltage generator
發行日期： 1999年4月6日
存檔日期： 1996年12月12日
序號： 764350
摘要：
本發明為使用單電源的功率放大器。放大器至少包含一個空乏式FET (depletion-mode FET)來放大AC訊號，負電壓發電器則提供偏壓給FET。放大器最好還包括一負電壓調節器，提供調節偏壓進行FET偏壓在A, AB或B模式作業。負電壓發電器包括多諧振盪器，提供兩個時脈信號和一個電荷幫浦(charge pump)，會接受時脈訊號來產生負電壓。負電壓最好是以低參考電位給多諧振盪器，所產生的時脈訊號才能包括負電壓期，讓電荷幫浦以最具效率的功率作業。
相關新聞

專利號 5774017: Multiple-band amplifier
發行日期： 1998年6月30日
存檔日期： 1996年6月3日
序號： 664972
摘要：
本發明專利為無線通訊用GaAs MMIC雙頻放大器，可在800MHz或1900MHz頻帶作業，提供想要的增益和輸入輸出阻抗。開關阻抗網路被用在放大器輸入輸出，在兩個頻帶作業中提供相稱的輸入阻抗和理想輸出阻抗。開關阻抗網路也用在放大器任何接續級，提供適當的級間阻抗。雙頻放大器包括了偏壓控制電路，會將放大器偏壓在A，B，AB或C模式中運作。此外，只要在放大器上加進適當的控制信號，放大器亦可用於AMPS 800或GSM 900，或是任何其他大哥大網路運作，例如PCS 1900，並可在兩種運作模式間切換。
相關新聞

專利號 5748049: Multiple-band amplifier
發行日期： 1998年5月5日
存檔日期： 1994年11月23日
序號： 344753
摘要：
多頻本機振盪器在其預先決定的幾個諧振頻率之一來提供LO訊號給諧振器。它具有多個LO輸入埠來搭配多個諧振器，每個諧振器皆有預先決定好的諧振頻率。本機振盪器被控制在其LO輸出埠以定義好的諧振頻率之一選擇性提供輸出LO訊號。

專利號 5736913: Method and apparatus for providing grounding to microwave circuit by low impedance means
發行日期： 1998年4月7日
存檔日期： 1996年2月14日
序號： 601499
摘要：
提供形成雙通道低電流、低雜訊、低阻抗電路的方式，用來將微波電路的共用接地電路和接地電位藕合。低阻抗做法包括了多個諧振器，各自有其諧振頻率，且在該頻率上能有最小阻抗。諧振器的諧振頻率會被選定來讓諧振器合作運作，在頻譜中提供低阻抗頻帶，而在該頻帶中共用接地電路和接地電位能有最低阻抗藕合。在較佳實作中，諧振器包括了連上電感接合線的電容，不同的諧振頻率可用不同電容值的電容來獲得。
相關新聞

專利號 5659894: Dual-channel low current low noise block downconverter
發行日期： 1997年8月19日
存檔日期： 1995年9月26日
序號： 533796
摘要：
一個雙通道低雜訊降頻器的電路，包含兩個降頻電路彼此相連，每一個又平行連上Zener二極體，耗電最小化，零件壽命也可延長。
相關新聞

專利號 5646573: Automatic gain-control transimpedance amplifier
發行日期： 1997年7月8日
存檔日期： 1995年2月28日
序號： 395775
摘要：
類比應用之自動增益互阻放大器，具有高頻寬，廣泛動態範圍和超高線性能力。互阻放大器包含運算放大器和連在放大器輸入和輸出之間的可變反饋電阻。可變反饋電阻可包含一個反饋PIN二極體，兩個串聯的反饋PIN二極體，一個並聯上反饋電阻的PIN二極體，或是兩個以並聯上反饋電阻的PIN二極體串聯。由於PIN二極體在正向偏壓下的動態阻抗具有高線性(視通過二極體的逆電流而定)，因此可達成超高線性能力。
相關新聞

專利號 5625307: Low cost monolithic gallium arsenide upconverter chip
發行日期： 1997年4月29日
存檔日期： 1992年5月3日
序號： 845293
摘要：
發表單晶上變頻器IC，在雙轉換有線電視接收器進行第一次頻率轉換。上變頻器晶片包括三個功能模組: Gilbert型鏡頻抑制混頻器，分相器，以及由電壓控制的振盪器。混頻是由包括鏡頻抑制電感的Gilbert型混頻器來做，改善混頻器的雜訊係數。差動電路拓樸則讓單晶上變頻器晶片則利於塑膠製雙並列式蝙蝠翼封裝，不會造成大幅效能損失。以一系列RC終接形成的嵌入式晶片 RF bypass網路亦有助於補償雙並列封裝針腳電感的負面影響。電阻式DC偏壓設計顯著減少開機延遲，測試可因此較快。
相關新聞

專利號 5602510: Automatic transimpedance control amplifier having a variable impedance feedback
發行日期： 1997年2月11日
存檔日期： 1995年6月8日
序號： 406279
摘要：
本專利為自動互阻控制放大器。放大器運用了自動增益控制電路，可根據輸入電流在放大器的每個增益級同時且自動地調整互阻和電壓增益值。放大器擁有大頻寬，高敏感度和廣泛的動態範圍。
相關新聞

專利號 5563545: Low cost monolithic GaAs upconverter chip
發行日期： 1996年10月8日
存檔日期： 1994年9月27日
序號： 312730
摘要：
發表單晶上變頻器IC ，在雙轉換有線電視接收器進行第一次頻率轉換。上變頻器晶片包含三個功能模組: Gilbert型鏡頻抑制混頻器，分相器，以及由電壓控制的振盪器。混頻是由包括鏡頻抑制電感的Gilbert型混頻器來負責，可改善混頻器的雜訊係數。差動電路拓樸讓單晶上變頻器晶片可使用塑膠雙並列式蝙蝠翼封裝，不會造成太多效能損失。以RC終接系列形成的嵌入式晶片 RF bypass網路亦有助於補償雙並列封裝針腳電感的負面影響。電阻式DC偏壓設計則顯著降低開機延遲，因此測試較快。

專利號 5557144: Plastic packages for microwave frequency applications
發行日期： 1996年9月17日
存檔日期： 1993年1月29日
序號： 01073
摘要：
本專利是應用於微波的塑膠封裝，最高可支援達14GHz。塑膠封裝包括塑膠平台，內嵌在平台表面的導線架，以及位於平台上用來密封晶片的塑膠帽。
導線架包括了基座，可用來安裝至少一個半導體晶片，以及至少一個連結在基座上向外延伸的接地線，還包括至少一條負責半導體晶片訊號傳遞的訊號導線。訊號導線和至少一條接地線形成了微波傳輸線，例如微波共面帶線或微波共面波導，負責傳送微波頻率訊號。本封裝具備了低電感接地路徑，優異熱特性和低寄生電感與電容等優勢，可用於高速和高頻應用領域。

專利號 5493718: Dual-channel low current low noise block downconverter
發行日期： 1996年2月20日
存檔日期： 1993年8月26日
序號： 112778
摘要：
本專利為形成雙通道低電流低雜訊降頻器的電路，包括兩個以串聯方式互連的降頻電路，並以並聯方式連上Zener二極體，因此可將耗電降到最低，並可延長元件壽命。

專利號 5442321: Automatic transimpedance control amplifier
發行日期： 1995年8月15日
存檔日期： 1993年7月8日
序號： 089201
摘要：
發佈自動互阻控制放大器。此放大器運用了自動增益控制電路，可根據輸入電流在放大器每一個增益級自動且同時地調整的互阻和電壓增益。放大器擁有大頻寬，高敏感度，以及廣泛的動態範圍等優點。

專利號 5428837: Method and apparatus for reducing local oscillator leakage in integrated circuit receivers
發行日期： 1995年6月27日
存檔日期： 1993年1月13日
序號： 003897
摘要：
本技術用於降低積體頻率轉換電路中本地震盪器洩露，提供外部諧振電路與積體頻率轉換電路之藕合。藕合可不需用到任何轉換電路之DC電源或接地針腳。使用本技術的頻率轉換電路包括諧振器，震盪器和混合電路。震盪器和混合電路有一部份是封藏於封裝中，而至少有一部份的諧振電路則位於封裝外面。諧振器電路的外部連結到封裝中至少兩個外部諧振針腳，在轉換電路運作時，經由外部諧振針腳進入封裝的純電流幾乎是0。

專利號 5138285: Method for reducing phase noise in oscillators
發行日期： 1992年8月11日
存檔日期： 1991年7月19日
序號： 732984
摘要：
本專利是一個降低壓控震盪器相位雜訊之技術，既簡易且被廣泛運用。壓控震盪器由變容器調校，經由適當選擇電感線圈之電感來隔離變容器和DC偏壓，此電感亦可執行雜訊過濾功能(藉由關閉一部份內部產生的低頻隨機電子雜訊)，降低震盪器相位雜訊的主要來源。此一相位雜訊降低技術可適用於Colpitts、Hartley與Clapp type LC壓控震盪器拓樸。

專利號 5047728: Amplifier having a low noise active GaAs MESFET load
發行日期： 1991年9月10日
存檔日期： 1990年7月18日
序號： 554802
摘要：
具備主動負載電感的高增益低雜訊放大器。此電路可製造成使用GaAs場效電晶體的微波單積體電路。放大器輸入端連上第一MESFET之閘極。直流電壓源透過低雜訊主動負載配備(具備第二MESFET)連上第一MESFET之集極。負載配備亦包含電感，連結在第一MESFET集極和第二MESFET源極之間。放大器輸出端連上第一MESFET之集極。

專利號 4743862: JFET current mirror and voltage level shifting apparatus
發行日期： 1988年5月10日
存檔日期： 1986年5月2日
序號： 858797
摘要：
在運算放大器之電壓電平轉換區中運用JEFT電流鏡。JFET電流鏡包括第一和第二JEFT在閘極藕合，分別傳導I1和I2。第三JEFT之閘極連接到第一JFET之集極，第三JFET之源極則以多個二極體連接第一JFET之閘極。流經二極體的電流會產生壓降，足以將第一JFET之偏壓到飽和狀態，讓I2可追蹤I1。在I2路徑上的固定電阻R會產生一個預先決定好的電壓電平轉換(如果I1為固定的話)。因此對R一端供給的電壓會因R另一端一個預先決定的電壓而進行電平轉換。電壓轉換輸出會因而和運算放大器內部的放大器區及輸出緩衝區藕合。

專利號 4739282: Current bleeder amplifier with positive feedback
發行日期： 1988年4月19日
存檔日期： 1986年7月21日
序號： 887217
摘要：
本專利為包含分洩電流的FET放大器，分洩電流包括正饋送路徑，可增加整體增益。正饋送路徑包括了額外FET，它的集極來源路徑連結上分洩電流，閘極則連結放大器之輸出。正饋送讓電流流經分洩電流，直接因應放大器之輸出而變化，因此可明顯增加整體增益。